| Strom-und Spannungsversorgung | Innenwiderstand, Z-Diode, Gleichrichtung |
| Koaxialleitungen | Wellenwiderstand, Reflexion, Laufzeit |
| Transistor | h-Parameter, Emitterschaltung, Frequenzgang |
| Feldeffekttransistor | Kennlinienfeld, Sourceschaltung, spannungsgesteuerter Widerstand |
| Digitalschaltungen | CMOS-Grundgatter, Flip-Flop, Schaltverhalten, Schmitt-Trigger |
| Modulation und Spektrumanalyse | Mischer, Amplitudenmodulation und -demodulation |
| Thyristor | Kennlinien, Phasenanschnitt |
| RC-Schaltungen | Hoch- und Tiefpass, Frequenzverhalten, Spannungsteiler, Phasenschieber |
| Schwingkreis | Eigenschwingung, erzwungene Schwingung, Resonanz, gekoppelte Schwingkreise |
| Operationsverstärker | Verstärkung, Frequenzverhalten, Addierer, Differenzverstärker |
| Mo. | 13:45 | - 17:00 Uhr |
Das Praktikum findet im Zeitraum vom 2.4.-9.7.2012 im LG1A/205 statt.
am 2.4. führen alle Gruppen den Versuch E20 durch